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NTMS4176P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2600
10
20
T J = 25 ° C
9
QT
18
2200
C iss
V GS = 0 V
8
16
1800
7
V DS
V GS
14
6
12
1400
1000
C oss
5
4
3
Q GS
Q GD
10
8
6
600
200
C rss
2
1
0
I D = -9.6 A
T J = 25 ° C
4
2
0
0
5 10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
35
1000
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-To-Source and
Drain-To-Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = -15 V
I D = -1 A
V GS = -10 V
t d(off)
t f
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
t d(on)
2
10
1
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
112.5
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100
I D = -15 A
10
1
V GS = -20 V
100 m s
1 ms
10 ms
87.5
75
62.5
50
0.1
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
37.5
25
12.5
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50 75 100
125
150
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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